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Injecteurs de gaz à géométrie optimisée pour l'épitaxie par faisceaux chimiques

Laurent Isnard
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Laurent Isnard

Résumé de la communication

L’épitaxie par jets chimiques est une technique de dépôt de couches minces de composition et d’épaisseur contrôlées sur des substrats pour des applications microélectroniques ou photoniques. Afin de maximiser la quantité de dispositifs utiles, l’industrie des composants exige une excellente uniformité des films déposés. La méthode couramment utilisée consiste à injecter les gaz suivant de larges plages angulaires tout en faisant tourner le substrat autour de son axe. Cependant, cette solution impose de fortes pertes de matériaux sources onéreux et requiert l’utilisation d’un porte-échantillon fragile et très coûteux. La tendance actuelle étant de réduire les coûts de fabrication des dispositifs de haute technologie, on se doit de simplifier les systèmes de dépôt tout en conservant leurs performances actuelles. Cet objectif pourrait être atteint en mettant au point des injecteurs dont la géométrie serait optimisée pour garantir l’uniformité des couches sans rotation du substrat. A partir d’un modèle physique simple, on a conçu un logiciel à convergence rapide permettant de calculer la distribution du flux gazeux arrivant à la surface d’un échantillon pour des géométries d’injecteurs simples. Les résultats des simulations numériques ont été comparés à des mesures expérimentales des profils de flux obtenus pour une série d’injecteurs réels. Les résultats obtenus ont permis de valider le modèle à l’intérieur des limites imposées par les hypothèses physiques ayant été faites.

Contexte

Section :
L'Énoncé de politique des trois Conseils nouvelle version : application au contexte québécois
news icon Domaine de la communication :
L'Énoncé de politique des trois Conseils nouvelle version : application au contexte québécois
section icon Date : 14 mai 2009
host icon Hôte : Université d’Ottawa

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Thème du communication :

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