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La formation de nanocavités par implantation d’hydrogène dans le GaN

Martin Chicoine
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Martin Chicoine

Résumé de la communication

L'implantation ionique d'hydrogène ou d'hélium suivie d'un recuit thermique mène à la formation de nanocavités remplies de gaz dans plusieurs matériaux. Lorsque la fluence implantée est suffisante, les nanocavités peuvent causer le cloquage ou le clivage du matériau implanté. Cette fluence est appelée fluence critique. Ce phénomène est à l’origine du procédé commercial SmartCut, qui est utilisé pour fabriquer des gaufres de type ''silicon-on-insulator'' (SOI). Dans ce travail, nous avons étudié la formation des nanocavités dans le GaN. Nous avons comparé deux types de GaN : des couches de GaN déposées sur saphir (sap-GaN) et des substrats massifs de GaN (fs-GaN). Ces échantillons ont été implantés avec de l'hydrogène à 50 keV, recuits sous atmosphère d’azote jusqu’à 600 °C et analysés par microscopie électronique en transmission (TEM) et par spectrométrie de rétrodiffusion Rutherford en mode canalisation (RBS-c). Nous avons trouvé que la fluence critique est la même pour le sap-GaN et le fs-GaN. De plus, le recuit n'induit pas d’augmentation du signal RBS-c, contrairement à ce qui est observé avec le silicium implanté. Les signaux de décanalisation en surface pour le sap-GaN et le fs-GaN évoluent de façon différente.

Contexte

Section :
L'Énoncé de politique des trois Conseils nouvelle version : application au contexte québécois
news icon Domaine de la communication :
L'Énoncé de politique des trois Conseils nouvelle version : application au contexte québécois
section icon Date : 11 mai 2010
host icon Hôte : Université de Montréal

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