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Caractérisation et mesures de transport dans des nanofils de silicium avec des défauts d'empilement ordonnés

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Marc Collette : Université Concordia

Résumé de la communication

Il est connu que la conductivité thermique (κ) des nanofils de silicium (SiNW) est plus basse que celle du silicium. L'ingénierie de défauts cristallins dans les SiNW peut être utilisé pour maximiser la figure de mérite pour la collecte d'énergie thermoélectrique (Z = S2σ/κ). Nous étudions l'effet de défauts d'empilement ordonnés sur le transport électrique dans ces nanofils. Nous présenterons des résultats préliminaires sur la caractérisation par spectroscopie Raman et transport DC de transistors à un nanofil.

Résumé du colloque

Le colloque se concentre sur la conception, la synthèse et la caractérisation de nanomatériaux. Les propriétés des matériaux nanométriques et nanostructurés découlent de leur échelle de longueur. Le programme du colloque cherchera à être à la pointe de la nanoscience et de ses applications dans des domaines tels que la livraison de drogue, le ciblage cellulaire, le traitement de la maladie, l’imagerie médicale et biologique, la médecine diagnostique, le développement du capteur électronique et les énergies alternatives. Alors que les applications potentielles des structures, des matériaux et des méthodes d’assemblage seront variées, l’accent sera mis sur l’étude des propriétés physiques et chimiques liées à la taille sous-jacents.

Contexte

section icon Thème du congrès 2014 (82e édition) :
La recherche : zones de convergence et de créativité
section icon Date : 12 mai 2014

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