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Absorption des états localisés du gap du silicium amorphe hydrogéné à partir du spectre de photoconductivité

Mamadou Sarr
Robert W. Cochrane
John L. Brebner
MS

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Mamadou Sarr

Résumé du colloque

La densité d'états dans le gap du a-Si:H détermine les propriétés électro-optiques des dispositifs et le rendement des cellules solaires à base de ce matériau. Une information valable sur la distribution de ces états localisés peut être obtenue par la mesure du spectre d'absorption optique T(hν) à basse énergie. Une des techniques expérimentales les plus appropriées pour dériver T(hν) est basée sur l'utilisation du spectre photoconductivité. Dans cette étude, nous décrivons la méthode de photocourant constant (CPM) et nous présentons des résultats sur nos échantillons de a-Si:H préparés sous différentes conditions.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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