Colloque

Analyse des dispositifs semiconducteurs actifs micro-ondes et opto-électroniques en utilisant des méthodes finies

H. Kobeissi

A. Khebir

A. B. Foukia

F. M. Ghannouchi

Membre a labase

H. Kobeissi

Résumé du colloque

L'utilisation des nouveaux dispositifs actifs tels que le HBT (Heterojunction Bipolar Transistor), le HEMT ("High Electron Mobility Transistor") et les composants opto-électroniques nécessite la modélisation des performances de ces dispositifs à des fréquences très élevées. Mais les difficultés de réaliser de tels dispositifs semiconducteurs sont les dimensions physiques très petites, les limitations des analyseurs de réseau qui ne permettent pas d'étendre cette croissance en fréquence au domaine millimétrique (> 50 GHz) et le coût de fabrication de ces dispositifs ont laissé croire qu'il faut avoir recours à la conception assistée par ordinateur (CAO). Le développement des circuits intégrés à l'aide des nouvelles technologies nous conduit à l'utilisation des méthodes d'analyse numériques telles que la méthode des éléments finis, la méthode des différences finies, la méthode des lignes, la méthode des moments, la méthode spectrale, et les méthodes itératives...etc. Chaque méthode possède ses avantages et ses inconvénients. Ce projet de recherche vise à développer un logiciel capable de simuler et analyser des composants micro-ondes actifs ainsi que les composants opto-électroniques.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Rimouski

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Titre du colloque :

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