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Angles de valence et distances interatomiques dans les gels SiO2 et TiO2-SiO2

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François Beland

Résumé du colloque

Nous avons récemment mis en oeuvre une nouvelle méthode d'analyse des données d'absorption X permettant le calcul d'angles et de distances interatomiques dans les milieux amorphes. Il s'agit de tenir compte des termes de diffusion multiple intervenant dans le signal de structure fine (EXAFS) se formant de 40 à 1000 eV au-dessus du seuil d'absorption d'un atome particulier. Nous avons testé cette méthode au seuil K du silicium et du titane dans un gel de silice SiO2 et un verre de titane, TiO2-SiO2, tous deux amorphes. Les mesures ont été prises à Tsukuba sur le synchrotron japonais. Le signal théorique est obtenu à partir de structures générées sur ordinateur. Le résultat final est obtenu par essai-erreur en comparant les signaux théoriques et expérimentaux. L'analyse des données révèle que le signal EXAFS contient principalement la contribution des seconds voisins correspondant aux angles les plus faibles et les plus grands permettant de caractériser les valeurs extrêmes de la distribution. Dans TiO2-SiO2, le domaine de répartition des angles Ti-O-Si s'étend de 132 à 154 environ pour une valeur moyenne de la distance Ti-O de 1,86 dans le tétraèdre TiO4.

Contexte

host icon Hôte : Université McGill

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