Colloque

Anomalies dans les caractéristiques de capacité-tension de diodes de sélénium de type Schottky

Clifford H. Champness

Alan Chan

Jin Pan

Membre a labase

Clifford H. Champness

Résumé du colloque

Utilisant le sélénium sous forme cristallisée, on a observé dans des diodes de Schottky de type, Se-Tl, Se-Bi et Se-Au une variation anormale de la capacité différentielle sous tension consistant en des minima se situant surtout sous une fréquence de 1kHz. Ces anomalies se produisent dans des diodes de type Se-Tl et Se-Bi sous tension inverse, tandis que des diodes de type Se-Au sous tension directe. Elles seraient dues à la présence d'un niveau profond dans le sélénium selon les travaux théoriques de Roberts et Crowell. Si cette interprétation était confirmée, cela serait la première vérification expérimentale de l'hypothèse de Roberts et Crowell où les effets sont facilement observables malgré la présence d'états interfaciaux.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université d’Ottawa

Découvrez d'autres communications scientifiques

Dans le même colloque
Du même congressiste

Titre du colloque :

Physique

Simulation numérique de l'interaction laser-matière

Richard Marchand

Ionisation quasi-résonnante du Gadolinium en spectrométrie de masse

Jean-Marie Gagne

Mouvement d'une suspension de fibres en présence d'un champ ultrasonore stationnaire

Pierre Brodeur

Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

Thème du colloque :

Physique

Le SeInSe2 : un matériau prometteur pour les cellules solaires en couches minces

Clifford H. Champness

Anomalies dans les caractéristiques de capacité-tension de diodes de sélénium de type Schottky

Clifford H. Champness

Anomalies dans les caractéristiques de capacité-tension de diodes de sélénium de type Schottky

Clifford H. Champness