Colloque

Capteur CMOS de température fondé sur la tension de seuil des transistors

Jié-Yan Zhu

David Cheeke

Wolfgang Rasmussen

Sylvio Richard

Membre a labase

Jié-Yan Zhu

Résumé du colloque

Un nouveau capteur intégré de température est proposé en technologie CMOS standard, en se fondant sur la tension de seuil Vt des transistors NMOS. La tension Vt est générée à partir de deux circuits autoapolérisés peu sensibles aux variations de la tension de l'alimentation que nous avons développés. Par une nouvelle technique de soustraction de courants, il est possible d'enlever le terme constant de Vt pour ne conserver que la partie variable en température, afin d'obtenir une résolution supérieure à 0,1 °C. Le capteur est pourvu d'une sortie analogique et une sortie numérique. Ce capteur sera bien adapté entre autres à des applications médicales, particulièrement pour les prothèses dentaires implantables en permettant d'intégrer le capteur de température sur la même puce avec d'autres fonctions logiques et analogiques.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université de Sherbrooke

Découvrez d'autres communications scientifiques

Dans le même colloque
Du même congressiste

Titre du colloque :

Génie électrique

Inventaire des techniques de routage

C. Langreit

Conception de coupleurs à lignes superposées utilisant des caractéristiques fréquentielles

Yves Cassivi

Implantation d'une commande d'axe intelligente sur le robot industriel GMF S-360

Houseam Kreidie

Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

Thème du colloque :

Génie électrique

Capteur CMOS de température fondé sur la tension de seuil des transistors

Jié-Yan Zhu

Capteur CMOS de température fondé sur la tension de seuil des transistors

Jié-Yan Zhu

Capteur CMOS de température fondé sur la tension de seuil des transistors

Jié-Yan Zhu