Colloque

Caractérisation de phosphide d'indium (InP) par mesures d'effet Hall

Mario Beaudoin

Moïses Benzaquen

David Walsh

Membre a labase

Mario Beaudoin

Résumé du colloque

L'InP obtenu par épitaxie en phase vapeur par composés organo-métalliques, dont les propriétés sont voisines de celles de l'1^xGa, donne des mobilités proches des maximums théoriques aux basses températures. Par contre, les valeurs correspondantes restent anormalement basses à la température ambiante, où une forte excitation électronique à la bande de conduction est observée simultanément. Cette réduction de la mobilité est attribuée à la présence de centres profonds, électriquement inactifs à basse température mais s'excitant quand la température augmente. Quand ils s'ionisent, ces centres libèrent des électrons, d'où excitation à la bande de conduction, et deviennent alors des diffuseurs puissants, d'où réduction de la mobilité. Un modèle basé sur une solution itérative de l'équation de Boltzmann et tenant compte de tous les mécanismes usuels de diffusion, incluant les interactions inélastiques, explique parfaitement les résultats obtenus, et démontre qu'une très haute mobilité à basse température n'est pas un critère suffisant de qualité pour ce matériau. L'énergie de liaison de ce centre profond dépend de la source organo-métallique utilisée pour la croissance, et montre que la solution de ce problème est liée à la purification de ces produits chimiques.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Moncton

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