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Caractérisation des couches épitaxiées de GaAs sur substrats de Si par photoconductivité et photoluminescence

Guy Bernier
M. Aubin
Serge Jandl
Jean Bernens
GB

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Guy Bernier

Résumé du colloque

Les techniques de photoconductivité et de photoluminescence ont été utilisées pour caractériser des couches épitaxiées de GaAs sur des substrats de Si. Ces couches ont été réalisées par la technique d'épitaxie par jets moléculaire. La présente étude a permis d'obtenir plusieurs informations sur la contrainte biaxiale, présente dans la couche de GaAs, causée par la différence des constantes de maille des deux matériaux. Les deux techniques expérimentales utilisées mettent en évidence la levée de dégénérescence des bandes de valence trous-lourds et trous-légers du GaAs sous l'effet de la contrainte biaxiale. En variant la température de 2K à 300K, on montre que la séparation en énergie des bandes trous-lourds et trous-légers est totalement contrôlée par la différence des coefficients d'expansion thermique des deux matériaux.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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