Colloque

Caractérisation des couches interfaciales dans des puits quantiques InP/GaxIn1-XAsyP1-y

Pierre Lévesque

Charles Lacelle

Alain P. Roth

Membre a labase

Pierre Lévesque

Résumé du colloque

Les dispositifs électroniques et opto-électroniques modernes sont formés le plus souvent d'un empilement de couches semiconductrices très minces (quelques nanomètres ou dizaines de nanomètres). Les propriétés de ces dispositifs sont donc très sensibles à la qualité des interfaces entre les couches de différents matériaux. Les alliages formés à partir de InP et GaAs sont la base de l'opto-électronique pour les longueurs d'onde autour de 1.3 et 1.55 μm. Dans ce travail, nous avons étudié des puits quantiques InP/GaxIn1-xAsyP1-y pour caractériser leurs interfaces en utilisant la diffraction des rayons X et la photoluminescence. Nous observons la présence de couches interfaciales dont l'épaisseur et le profil de composition dépendent de la séquence d'arrêt de croissance à l'interface. Les courbes de diffraction sont comparées à une simulation numérique et les spectres de photoluminescence sont analysés par un calcul des niveaux d'énergie dans les puits quantiques. La cohérence des deux analyses permet de déterminer précisément la composition des puits quantiques, le profil de composition des couches interfaciales, leurs épaisseurs et la contrainte résiduelle due au désaccord de maille cristalline.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université McGill

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