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Résumé du colloque
L’apparition au début des années soixante-dix du transistor à effet champ (TEC) en arséniure de gallium (AsGa) a suscité un vif intérêt auprès des concepteurs de circuits micro-ondes puisque ce matériau démontre des qualités supérieures: fréquence de coupure élevée, propriétés optiques excellentes, etc. De plus, en raison de la vitesse d’électrons élevée, les circuits analogiques et numériques en AsGa se sont avérés être au moins deux fois plus rapides que les circuits intégrés à base de silicium. L’utilisation de ce matériau se heurte, par contre, à une modélisation encore imprécise de ses dispositifs. En effet, les composants en AsGa présentent des effets indésirables imprévisibles, phénomène d’autodéchauffement) que le rendent difficile à modéliser. On peut étudier le comportement thermique, dispersif et mode impulsé des transistors MESFET en mesurant la réponse temporelle des paramètres S à une impulsion. Pour ce faire, nous avons développé un analyseur de réseaux permettant de mesurer les paramètres S instantanés de dispositifs actifs micro-ondes. Cet analyseur de réseaux utilise la technique de mesure à réflexion/tire à six accès qu’on appelle communément six-port. Nous avons soumis servi de cet analyseur de réseaux pour caractériser le MESFET NE900198A sous des conditions pulsées de polarisation du drain et du signal RF. Ces mesures ont permis de déterminer de façon analogue les paramètres du modèle du MESFET. Les résultats obtenus indiquent que le comportement thermique du MESFET est principalement relié à la vitesse de variation de la conductance et résistance sortie du transistor. Un tel modèle représente le comportement en utilisant des plus pertinents pour étudier les effets transitoires dans des MESFET en AsGa.
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