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Caractérisation des nanocristaux de silicium par microscopie électronique en transmission

Viara Levitcharsky
G. G. Ross
R. Smirani
R. G. Saint-Jacques
VL

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Viara Levitcharsky

Résumé du colloque

Le silicium, qui est un piètre émetteur de lumière. Lorsqu'il se retrouve à des dimensions nanométriques, le Si peut émettre de la lumière suite à une excitation. La microscopie électronique en transmission (MET) a été utilisée pour caractériser des nanocristaux de silicium obtenus par implantation ionique dans une couche d'oxyde de silicium amorphe (SiO2). Les ions de silicium sont implantés à 100 keV dans la couche de SiO2 à différentes doses d'implantation (2.1016; 8.1016; 3.1017 Si+/cm2). Ensuite les échantillons sont soumis à un traitement thermique à 1100 °C pendant 1 et 4 h sous atmosphère d'azote puis à 500 °C dans un mélange de 5 % H2 et 95 % N2. La taille des nanocristaux formés varie entre 2 et 5 nm en fonction de la dose implantée. Des images en haute résolution ont été utilisées afin de déterminer la distance interplanaire et la forme des nanocristaux. Le modèle de confinement quantique permet de relier le spectre de luminescence à la taille de ces nanocristaux et la largeur de sa distribution. Cependant ce modèle recourt à un facteur ( C ) dont la valeur calculée, publiée dans la littérature, porte à controverse. En utilisant la valeur de la taille des nanocristaux obtenue par MET on a trouvé une valeur expérimentale de C.

Contexte

Section :
Nanosciences : défis et prospectives
news icon Thème du colloque :
Nanosciences : défis et prospectives
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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