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Caractérisation non linéaire des transistors de puissance

CT

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Christos Tsironis

Résumé du colloque

Les techniques modernes de caractérisation des composantes non linéaires de puissance, en particulier des transistors micro-ondes, comportent plusieurs types de mesures : - des paramètres "S" grand signal; - des caractéristiques I-V sous régime de puissance RF injectée; - des mesures de Load Pull et Source Pull; - des caractéristiques de compression et saturation; - des caractéristiques d'intermodulation et ACPR. La présentation portera sur la description détaillée des bancs typiques de mesure de toutes ces caractéristiques, y compris des bancs load pull actif et passif (ainsi qu'harmonique) et des logiciels de mesure et de traitement des données, à des fréquences allant de 400 MHz à 50 GHz. Enfin on présentera une méthode de conception et d'optimisation des amplificateurs de puissance basée exclusivement sur les données de mesures load pull.

Contexte

host icon Hôte : Université d’Ottawa

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