Colloque

Caractérisation non linéaire des transistors HBT à 14 et à 28 GHz

Ali Rahal

R.G. Bossio

H. Doky

Membre a labase

Ali Rahal

Résumé du colloque

L'utilisation des fréquences millimétriques dans les systèmes de télécommunication et de télé-détection devient de plus en plus répandue. Les composantes semiconductrices capables d'opérer à ces fréquences (tels que diodes Gunn et Impatt) ont une efficacité énergétique faible et ne sont généralement adaptées aux nouvelles structures intégrées (MMIC, MMHFIC). Les nouveaux transistors HBT sont connus par un bruit faible, gain élevé et une bonne efficacité. Ceci permet la réalisation de circuits actifs micro-ondes plus performants. Cependant, la conception optimale de ces circuits (amplificateur de puissance, oscillateur, multiplicateur, etc.) nécessite la connaissance des paramètres du transistor sous les conditions réelles d'opération (régime grand signal). Dans ce travail, on présente la procédure et les résultats de mesure obtenus sur de nouveaux transistors. Le système de mesure utilise la technique des jonctions six-portes pour effectuer des mesures Load-pull, ces mesures sont faites sur une famille de HBT (ayant 1, 3, 8 et 9 doigts) à 14 et à 28 GHz.

Contexte

Section :

Génie électrique

Thème du colloque :

Génie électrique

Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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