Colloque

Cellule photoélectrochimique : Stabilisation du silicium de type-n en solution aqueuse par un film d'oxyde d'étain

Daniel Bélanger

Jean-Pol Dodelet

Bela Antoine Lombos

Membre a labase

Daniel Bélanger

Résumé du colloque

Nous avons étudié le comportement d'une barrière de Schottky utilisée comme électrode dans une cellule photoélectrochimique en solvant aqueux. L'électrode photoactive est constituée de silicium monocristallin commercial de type-n (orientation <111>). Ensuite, une mince couche (~10-20) de SiO2 est produite sur une N-n Si en le chauffant à 450°C sous atmosphère oxydante. L'électrode est complétée en déposant un film mince (~1000) de SnO2 par la méthode de déposition par vapeur chimique. L'effet de la résistivité du silicium, de l'épaisseur de la couche de SiO2 et de SnO2 ainsi que la nature du couple rédox et sa concentration ont été étudiées. Des illuminations solaires avec comme électrolyte le couple redox Fe(CN)6^4-/Fe(CN)6^3- (0.05 mol.l^-1, 0.15 mol.l^-1) et NaNO3 (0.1 mol.l^-1) les caractéristiques des cellules suivantes sont obtenues; Jsc = 7.5 mA.cm^-2, Voc = 0.2 V, ff = 0.25 et une efficacité de 0.6%. Une telle cellule montre aucun signe de dégradation même après 14 heures d'illumination tandis qu'une cellule utilisant du n-Si non recouvert de SnO2 est photodétruite en quelques minutes.

Contexte

Section :

Chimie physique

Thème du colloque :

Chimie physique

Hôte : Université Laval

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