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Changement de l'indice de réfraction de la silice dopée au germanium suite à l'implantation ionique à haute énergie et à l'illumination UV

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Mourad Essid

Résumé du colloque

La silice dopée au germanium est rendue photosensible grâce à différentes techniques comme l’hydrogénation à haute pression ou la fabrication dans des conditions réduites. Nous utilisons une technique différente basée sur l’implantation ionique à haute énergie. Un changement d’indice de l’ordre de 10-2 est induit dans la matière transparente dans l’UV après l’implantation avec des ions de silicium à une énergie de quelques MeV. L’absorption optique augmente de près de 1000 cm-1 dans la région du 5 eV. Ces bandes d’absorption sont centrées à des longueurs d’ondes proches de celles observées dans la fibre optique photosensible contenant du germanium, mais leurs caractéristiques de blanchissage suite à l’illumination avec des lasers excimers sont différents de celles de la fibre. Dans ce travail, on examine la dépendance du changement d’absorption autour de 5 eV et dans la region de l’UV du vide induit par les lasers excimers ArF(193 nm) et KrF(248 nm). On reporte une différence dans le comportement des bandes quand elles sont illuminées par l’un ou l’autre des lasers. Finalement, on présente les valeurs de changement d’indice après chaque étape d’implantation et de blanchissage.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Trois-Rivières

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Titre du colloque :

Physique

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