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Comportement en température des lasers InGaAsP-InP à double hétérostructure et à double région active

Alain Champagne
Romain Maciejko
AC

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Alain Champagne

Résumé du colloque

Nous présentons une analyse détaillée du comportement en température des lasers InGaAsP-InP à double hétérostructure à double région active. Ce travail a été réalisé à l'aide d'un modèle bimodal permettant une description très complète tant des propriétés électriques que des propriétés optiques du laser à semi-conducteurs. Les propriétés électriques du laser sont décrites à partir de l'équation de Poisson et des équations de continuité qui déterminent la distribution spatiale des porteurs électriques, des densités de porteurs et des densités de courant dans le dispositif. Les propriétés optiques du laser sont modélisées à l'aide de l'équation d'onde couplée et de l'équation d'évolution de la densité de photons qui déterminent respectivement le profil spatial des modes et la puissance lumineuse émise par le laser. La qualité de ce modèle a été démontrée en reproduisant le comportement en température d'un laser InGaAsP-InP à double hétérostructure conventionnel émettant à 1,3 µm. Une analyse du laser InGaAsP-InP à double région active (DRA) a montré que la température caractéristique très élevée (T0 ~ 120 – 180 K) de ce type de laser, de même que son comportement super-linéaire, dépend de la distribution des densités de porteurs entre les deux régions actives et de l'influence de cette distribution sur le taux de recombinaison Auger.

Contexte

Section :
Optique guidée et photonique II
news icon Thème du colloque :
Optique guidée et photonique II
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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