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Contrôle de la longueur d'onde d'émission de diodes laser à hétérostructures sur une large bande par la méthode d'interdiffusion induite par irradiation laser

Jonathan Genest
Jacques Beauvais
Jean Beerens
Vincent Aimez
Jan Dubowski
JG

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Jonathan Genest

Résumé du colloque

L'évolution des systèmes de télécommunication photoniques actuels est possible en grande partie grâce aux efforts de recherche entrepris dans le domaine des diodes lasers. Les développements de la physique des semi-conducteurs pour la fabrication d'hétérostructures à puits quantiques ont permis de créer des lasers possédant des caractéristiques uniques. Dans cet exposé, la modification des propriétés d'hétérostructures fonctionnant à des longueurs d'onde de 1,55 µm laser pour l'intégration photonique est étudiée. Le procédé utilisé est basé sur l'irradiation d'hétérostructures à l'aide d'un laser de type YAG, 1.006 µm avec une puissance de l'ordre de 6W/cm2 pour un temps variable afin d'activer l'interdiffusion de puits quantiques. La modification contrôlée du profil de bandes après irradiation résulte en une diminution de la longueur d'onde d'émission des dispositifs, permettant par exemple la fabrication de diodes laser multi-longueurs d'onde. Le matériau interdiffusé a tout d'abord été caractérisé par photoluminescence; ensuite des diodes laser à guidage par le gain ont été fabriquées sur ce matériau dans le but d'étudier la variation du courant de seuil et les caractéristiques spectrales des dispositifs en fonction de la quantité d'interdiffusion.

Contexte

Section :
Matériaux et composants photoniques
news icon Thème du colloque :
Matériaux et composants photoniques
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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Titre du colloque :

Matériaux et composants photoniques
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