Colloque

Contrôle modal des lasers à semi-conducteurs

N. McCarthy

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N. McCarthy

Résumé du colloque

La croissance continuelle du nombre d’applications pour lesquelles on sollicite les lasers à semi-conducteurs est tributaire de l’augmentation de puissance optique disponible avec les lasers à large fenêtre d’émission et les réseaux monolithiques de lasers. Toutefois, les performances de ces lasers sont encore limitées par de larges lobes d’émission, la présence de modes latéraux d’ordre supérieur, les distorsions de front d’onde, l’astigmatisme et la qualité optique imparfaite des faisceaux produits. L’exposé portera sur les deux approches principales retenues pour améliorer les performances des lasers à semi-conducteurs: le développement de nouvelles structures et l’utilisation d’éléments externes. Par exemple, nous décrirons comment un miroir à réflexion de phase peut être utilisé en courant de seuil d’un laser à GaAs, ce qui réduit la divergence du faisceau, rétrécit son spectre, augmente sa longueur de cohérence et diminue les unités de Fabry-Pérot. Ces configurations de diodes lasers, utilisées avec une face non polie ou à réflectivité profilée, seront discutées.

Contexte

Section :

Optique guidée et photonique

Thème du colloque :

Optique guidée et photonique

Hôte : Université Laval

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