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Corrélation entre les variations d'indice de réfraction photoinduites et le blanchissage des bandes d'absorption dans l'ultraviolet du vide dans la silice implantée par des ions énergétiques

Marc Verhaegen
Jonn Low Brebner
Jacques Albert
MV

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Marc Verhaegen

Résumé du colloque

La photosensibilité est une propriété couramment utilisée dans la fabrication de dispositifs optiques tels que filtres, coupleurs et miroirs de cavité laser. Actuellement, l'implantation ionique est la seule technique capable de créer des guides d'onde planaires photosensibles dans la silice pure non-dopée. Dans ce travail, nous avons étudié les variations d'indice de réfraction produits par un rayonement laser à 193 nm (laser Excimer ArF) dans la silice implantée avec des ions de silicium de haute énergie (5 MeV). Les mesures d'absorption optique entre 3 eV (400 nm) et 8 eV (155 nm) présentent plusieurs bandes d'absorption bien définies et montrent que les bandes D et E centrées respectivement à 7.15 eV (173 nm) et à 7.6 eV (163 nm) participent au phénomène de photosensibilité dans l'ultra-violet du vide. Nous avons également observé une corrélation entre l'évolution de la bande D et de la bande B2a (centrée à 5.02 eV) au cours de l'irradiation à 193 nm. Enfin, les variations d'indice de réfraction obtenues par une analyse de Kramers-Kronig de nos mesures d'absorption sont quantitativement en accord avec les mesures d'indice de réfraction obtenues par réfractométrie.

Contexte

Section :
Optique guidée et photonique 4
news icon Thème du colloque :
Optique guidée et photonique 4
host icon Hôte : Université McGill

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Titre du colloque :

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