Colloque

Croissance des cristaux de CuInSe2 par la méthode Bridgman sans adhérence à l'ampoule

Lap Yip

Ishiang Shih

Clifford Champness

Ziad Shukri

Membre a labase

Lap Yip

Résumé du colloque

Le semiconducteur chalcopyrite CuInSe2 est d'un grand intérêt pour la couche absorbante d'une cellule solaire à couche mince. En conséquence, on a besoin de caractériser plus complètement ses propriétés physiques et électroniques et cette tâche sera accomplie du mieux en utilisant des monocristaux. On peut faire croître ceux-ci par la méthode Bridgman. Cependant, un problème sérieux qu'on a trouvé avec cette méthode est l'adhérence du composé au mur intérieur de l'ampoule en quartz qui contient le lingot. Cette adhérence cause des fractures et des imperfections dans le lingot. Pourtant, cette difficulté a maintenant été surmontée par deux méthodes découvertes dans notre laboratoire. Dans celles-ci le mur intérieur de l'ampoule est couvert avec une épaisse couche de charbon dans un cas et dans l'autre avec de la poudre de nitrure de bore. Dans les deux procédés, il existe des évidences de l'action du "gettering", qui consiste probablement en l'enlèvement de l'oxygène des éléments de la charge de départ. Comme résultat de ces méthodes, on a obtenu des lingots de CuInSe2 qui contiennent de larges monocristaux et qui sont complètement libres d'adhérence au mur de l'ampoule.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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