Colloque

Croissance d'hétérostructures InxGa1-xAs/GaAs par épitaxie par jets moléculaires

Pascal Maigne

Tom Moore

Robert Devine

Membre a labase

Pascal Maigne

Résumé du colloque

Les propriétés de transport des semi-conducteurs composés III-V font l'objet d'un développement important grâce à l'apparition d'hétérostructures telles que AlxGa1-xAs/GaAs (Alliage/composé III-V). Il existe à l'interface une couche d'accumulation d'électrons, qui constitue un gaz d'électrons bidimensionnel. Les performances d'un tel dispositif sont limitées par différents mécanismes de diffusion et dépendent de la composition et de l'épaisseur de l'alliage ainsi que de l'épaisseur d'une couche mince entre l'alliage et le composé III-V. Nous avons étudié le système InxGa1-xAs/GaAs et optimisé les conditions de croissance par épitaxie par jets moléculaires. Grâce à des mesures électriques (I-V, C-V), de photoluminescence, de diffraction des rayons X et d'effet Hall, les caractéristiques optiques et électriques des échantillons ont pu être déterminées.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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