Colloque

Dépôt et caractérisation des alliages de silicium-germanium et applications en photonique

Hughes Lafontaine

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Hughes Lafontaine

Résumé du colloque

Le silicium-germanium est devenu au fil des ans l'un des matériaux les plus intéressants pour l'industrie de la microélectronique car il permet de doubler la vitesse d'opération des transistors tout en préservant la compatibilité avec les technologies de production existantes. Au CNR, nous utilisons une technique de dépôt de pointe d'épitaxie en phase vapeur sous vide poussé (UHV-CVD) afin d'élaborer des couches minces de Si-Ge utilsées tant par l'industrie de la microélectronique canadienne, pour le développement de nouveaux produits, que par les universités, pour de nouvelles initiatives de recherche. Dans cette présentation, la technique de dépôt sera décrite, ainsi que les principaux résultats de caractérisation. Nous ferons aussi état de travaux sur l'ajustement de la bande d'énergie interdite (bandgap shifting) dans des structures à multi-puits quantiques de Si0.7Ge0.3, et des applications potentielles pour les photodétecteurs et les démultiplexeurs optiques.

Contexte

Section :

Nouveaux matériaux en photonique

Thème du colloque :

Nouveaux matériaux en photonique

Hôte : Université de Trois-Rivières

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Titre du colloque :

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