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Dépôts en couches minces d'oxydes céramiques de type La1-xSrxCoO3 par pulvérisation cathodique h.f. magnétron

Yves Denos
Gaétan Trudel
François Morin
YD

Membre a labase

Yves Denos

Résumé du colloque

La déposition de films cristallins d'oxyde céramique a été réalisée par pulvérisation cathodique h.f. magnétron, sous atmosphère réactive Ar/O2, et sous contrôle de la température du substrat. Ces derniers ont été choisis en fonction de leur structure et de leur stabilité chimique par rapport aux matériaux de dépôts. Des substrats monocristallins Si (100), parfaitement polis et passivés, ont permis une étude de l'évolution structurale des dépôts en fonction de la température, de la pression partielle de l'oxygène et du rendement de pulvérisation. Malgré une très grande disparité des coefficients de dilatation thermique, le chauffage du substrat aux températures supérieures à 700 °C ainsi que le contrôle des gaz pendant la pulvérisation nous a permis d'obtenir des couches cristallines et adhérentes pour des épaisseurs supérieures au micron.

Contexte

Section :
Génie des matériaux et métallurgie
news icon Thème du colloque :
Génie des matériaux et métallurgie
host icon Hôte : Université du Québec à Rimouski

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Titre du colloque :

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