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Résumé du colloque
Après avoir rassemblé les données de masse effective électronique du Cd3P2, obtenues dans la littérature à partir de mesures Shubnikov-de Haas, magnéto-Seebeck et Hall à basses températures, on a utilisé le modèle de Kane relatif à une structure de bande d'énergie type InSb pour obtenir la relation de dispersion de la bande de conduction ainsi qu'une valeur de la brèche d'énergie Γ-Γ de 0.48 eV. L'élément de matrice caractérisant l'interaction de la bande de conduction et de la bande de valence a été trouvé égal à P = 6.4 x 10^8 eV-cm et la masse effective électronique au bas de la bande de conduction à m*(0)/m0 = 0.046. L'analyse des données optiques disponibles à basses températures a permis de déduire la valeur de la séparation en énergie de la bande de valence due au couplage spin-orbite Δ = 0.23 eV et de préciser l'existence d'une seconde bande de conduction dont le minimum Λ se situerait à 0.17 eV au-dessus du minimum de la première. Le schéma de structure de bande ainsi obtenu est trouvé en excellent accord avec tous les résultats expérimentaux déjà publiés.
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