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Détermination de quelques paramètres de l'or dans le silicium par des mesures de capacité

R.R. Senechal
A. Slavin
J. Basinski
RS

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R.R. Senechal

Résumé du colloque

Des mesures de capacité des barrières Schottky et des jonctions abruptes p-n fabriquées avec du silicium de type n dans lequel de l'or avait été diffusé à 1000°C ont été effectuées à différentes températures. Les courbes de ΔV/Δ(1/c2) vs C ont été analysées (1) en termes de l'énergie, de la constante de temps d'émission, et de la concentration du niveau accepteur de l'or. Les valeur de concentration ainsi obtenues sont comparées avec celles obtenues de l'effet Hall. (1) R.R. Senechal and J. Basinski, Bull. Am. Phys. Soc. 12,656 (1967).

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
manager icon Responsables :
Jean Lefaivre Gilles Lamarche
host icon Hôte : Université de Sherbrooke

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