Colloque

Développement de membranes de carbure de silicium pour les masques de la lithographie à rayons X

S. Boily

M. Chakeri

W.T. Fu

A. Ginover

J.C. Kieffer

P.P. Mercier

H. Pépin

J.F. Currie

H. Lafontaine

Membre a labase

S. Boily

Résumé du colloque

Dans le cadre du développement de lithographie par rayons X, nous avons entrepris de développer, à l'INRS-Énergie des masques en vue de cette application. Étant donné ses propriétés mécaniques et optiques, le carbure de silicium est un très bon candidat comme matériau pour les membranes de masques à rayons X. Les couches minces de SiC sont obtenues en utilisant le procédé PECVD. Nous nous intéressons particulièrement à l'étude de l'influence des paramètres de la chimie en phase vapeur sur les propriétés mécaniques et optiques des membranes de SiC.

Contexte

Section :

(Les) Céramiques avancées des années 1990

Thème du colloque :

(Les) Céramiques avancées des années 1990

Hôte : Université Laval

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