Communication

Développement d'un dispositif semi-conducteur au CdZnTe pour l'imagerie des rayons gamma

Olivier Tousignant

Hamel Hamel

John Macri

Jim Ryan

Kipp Larson

Membre a labase

Olivier Tousignant

Résumé de la communication

Les détecteurs semiconducteurs opérés à la température de la pièce prennent de plus en plus d'importance dans le domaine de l'imagerie gamma. Sur la base de simulations, nous avions proposé en 1997 la réalisation d'un dispositif au CdZnTe capable de résoudre la majorité des problèmes reliés à l'utilisation de ce semiconducteur qui sont dus aux mauvaises propriétés de transport des trous. Au début de 1999 nous avons réalisé un premier dispositif dit à "anodes orthogonales". Ses performances sont identiques aux prévisions et ce dispositif représente actuellement le meilleur détecteur existant à température ambiante pour ce qui est de la résolution en énergie et de la résolution spatiale. Dans cet exposé, je présenterai les enjeux de l'imagerie gamma ainsi que les résultats obtenus avec ce nouveau détecteur.

Contexte

Section :

Physique

Domaine de la communication :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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