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Différence dans le comportement des défauts à déficience en oxygène dans la silice dopée au germanium sous l'irradiation aux lasers excimères ArF et KrF

Mourad Essid
John L. Brebner
ME

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Mourad Essid

Résumé du colloque

Le blanchissage de la bande d'absorption à 5 eV et la création d'autres bandes à plus haute et plus faible énergies ont été examinés dans le cas de l'irradiation de la silice dopée au germanium (5GeO2:95SiO2) par les lasers excimères ArF (6.4 eV) et KrF (5 eV). On reporte une différence dans le processus de transformation des deux composantes formant la bande à 5 eV. La première composante à l'origine d'un défaut absorbant à une énergie de 5.06 eV et qui est appelée "neutral oxygen monovacancy" (NOMV) se transforme en des centres qui piègent des électrons et qu'on appelle "germanium electron centers" GEC. Le deuxième, absorbant à 5.14 eV appelé "germanium lone pair center" (GLPC) se transforme en des GEC puis à des Ge(E') selon que l'on utilise l'un ou l'autre des lasers. Une corrélation entre les bandes d'absorption et les signaux ESR est obtenue après chaque dose de l'irradiation au laser. Nous avons montré que la même dose de laser KrF délivrée à l'échantillon génère à peu près deux fois plus de centres Ge(E') que le laser ArF. La raison principale de cette différence est la plus grande efficacité du laser KrF à blanchir le défaut absorbant à 5.14 eV, soit le GLPC comparé au laser ArF.

Contexte

Section :
Optique guidée et photonique 5
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Optique guidée et photonique 5
host icon Hôte : Université Laval

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Titre du colloque :

Optique guidée et photonique 5
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