Colloque

Dispositifs optoélectroniques fabriqués en utilisant la technique de faisceau d'ions focalisé

Sylvain Charbonneau

Membre a labase

Sylvain Charbonneau

Résumé du colloque

Les composés III-V (tels le GaAs, le AlAs, le InP et leurs alliages) possèdent plusieurs propriétés uniques qui en font des matériaux idéaux pour la fabrication de structures à confinement quantique servant à émettre et détecter de la lumière. Cette communication fait le point sur une méthode par laquelle les propriétés optiques de ces structures sont modifiées en utilisant un faisceau d'ions focalisé. Se réalise l'implantation en même des composés III-V formant les puits et les barrières de structures quantiques 2D, ce qui se traduit en général par une augmentation de la bande interdite des puits quantiques et par un changement de l'indice de réfraction des couches affectées. La simplicité et l'efficacité de cette technique sont avantageuses pour la fabrication de circuits optoélectroniques et photoniques intégrés.