Colloque

Dispositifs Schottky et MIS faites à partir du Si-amorphe

A. Azelmad

M. Aktik

B. Nirohime

J.C. Bruyere

J.L. Brenner

R.W. Cochrane

H. Lu

J.F. Currie

C. Aktik

A. Yelon

Membre a labase

A. Azelmad

Résumé du colloque

Nous avons préparé des dispositifs Schottky et MIS à partir du a-Si(H). Ces dispositifs sont étudiés à deux points de vue: ils sont d'intérêt comme piles photovoltaïques, et leurs caractéristiques nous éclaircissent sur les propriétés du matériau de base. Des améliorations de ce matériau, des hausses de barrière, et des contacts chimiques nous ont permis d'atteindre des rendements de l'ordre de 3%, qui peuvent être dépassés avec des contacts transparents et des couches antireflets. Des études du comportement des diodes, de leur conductance et de leur capacité, dans le noir et sous illumination, en fonction de la température, de la fréquence, et du temps nous permettent d'appliquer différents modèles de la structure électronique du a-Si(H).

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université du Québec à Trois-Rivières

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Titre du colloque :

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