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Distribution de l'oxygène dans les sites interstitiels du Zr hexagonal

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Tran Minh Giam

Résumé du colloque

L'arrangement des atomes d'O dissous dans le Zr alpha a été étudié par mesures de résistivité électrique. Deux et possiblement trois états ordonnés ont été mis en évidence aux compositions Zr40, Zr30 et Zr20. Une réaction qui n'affecte pas les états ordonnés est observée à toutes les compositions au-dessus de 10% at. oxygène environ. Quelques-unes de ses caractéristiques montrent qu'il s'agit probablement d'une précipitation d'oxygène sur des défauts cristallins, vraisemblablement les fautes d'empilement.

Contexte

news icon Thème du colloque :
Sciences de l'ingénieur
manager icon Responsables :
Louis Sirois
host icon Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

Sciences de l'ingénieur

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