Colloque

Dommages créés dans les détecteurs au silicium par irradiation de protons de basse énergie (10 MeV)

Delphine Bechevet

Alain Houdayer

Patrick Roy

Claude Leroy

Fabrizio Marullo

Céline Lebel

Membre a labase

Delphine Bechevet

Résumé du colloque

Les détecteurs au silicium sont utilisés dans les expériences réalisées auprès des accélérateurs de particules tel que le LHC (Large Hadron Collider), au CERN, à Genève. Étant exposés à de grandes fluences de particules d'irradiation, l'étude de la détérioration possible des caractéristiques électriques de ces détecteurs est primordiale. En particulier, la dépendance des dommages créés en fonction de l'énergie des particules irradiées doit être caractérisée. L'équipe ATLAS de l'Université de Montréal a effectué des irradiations de détecteurs au silicium par des protons de 10 MeV pour pouvoir vérifier l'importance des dommages créés par des protons de basse énergie comparativement à ceux de haute énergie. Les comportements sous irradiation de détecteurs au silicium produits selon deux méthodes de fabrication, standard planaire et Mesa planaire, ont été comparées lors de cette expérience. La deuxième technique a l'avantage d'être plus facile à utiliser et surtout moins coûteuse. Suite aux irradiations, une mesure et une analyse de la variation du courant de fuite et de la capacitance en fonction de la tension appliquée sur le détecteur ont été effectuées. Celles-ci ont permis d'extraire les valeurs de la tension de désertion totale desquelles le point d'inversion du type n vers le type p ainsi que le nombre effectif de dopant en fonction du flux de protons et du temps passé après l'exposition ont été déduits. Ces résultats confirment que les protons de basse énergie causent davantage de dommages que ceux de haute énergie.