Colloque

Dynamique de recombinaison dans les puits quantiques InGaN/GaN

Colin-N. Brosseau

Richard Leonelli

Membre a labase

Colin-N. Brosseau

Résumé de la communication

Les nitrures, semiconducteurs centrés sur le GaN, ont un intérêt technologique considérable. On les utilise dans la fabrication de dispositifs optoélectroniques fonctionnant dans le bleu-ultraviolet. Malgré le fait qu'ils sont aujourd'hui utilisés massivement dans les émetteurs bleus, les mécanismes de recombinaison des porteurs ne sont pas bien connus. En particulier, la dynamique temporelle de recombinaison, nettement plus lente qu'une exponentielle, est toujours incomprise. Nous avons étudié des puits quantiques InGaN/GaN minces et à concentration modérée d'indium. Nous montrons d'abord que la recombinaison dans ces puits est dominée par la localisation des porteurs. La dynamique de recombinaison a deux comportements : exponentiel à court temps (<15 ns) et en loi de puissance à grand temps (>1 us). Pour expliquer ces résultats, nous proposons un modèle de recombinaison basé sur la localisation indépendante des porteurs et par le transfert entre centres de localisation par effet tunnel. Ce modèle permet de reproduire la dynamique temporelle de la luminescence avec une précision jusqu'ici inégalée. Ceci permet de montrer que les centres de localisation sont agglomérés en îlots isolés.

Résumé du colloque

Deux chercheurs réputés seront présents pour donner des conférences plénières. Il s'agit de Gilles Horowitz (Paris-Diderot, France), spécialiste des semi-conducteurs organiques et Jean-Christophe Charlier (Louvain-la-Neuve, Belgique), spécialiste des nanotubes de carbone.