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Effet de la tension et de la fréquence de polarisation RF sur la vitesse de gravure du polyimide

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Fouad Bounasri

Résumé du colloque

Les traitements de surfaces par plasma font désormais partie intégrante du paysage industriel, et les applications de cette technique ne se comptent plus. Néanmoins, les mécanismes physico-chimiques qui régissent l'interaction plasma-surface sont complexes et jusqu'à présent mal connus. Dans ce cadre, nous avons montré que l'effet de la tension de polarisation appliquée à un substrat de Si recouvert de polyimide se manifeste par deux régimes de gravure: (I) gravure chimique et (II) gravure chimique induite. De plus, en faisant varier la fréquence de polarisation, nous avons pu mettre en évidence deux situations nouvelles: dans le cas d'une gravure s'effectuant via un plasma d'argon (gaz inerte), la vitesse de gravure augmente quand la fréquence de polarisation devient inférieure à la fréquence plasma des ions; par contre, dans le cas de la gravure par un plasma réactif (CF_4/O_2), la vitesse de gravure ne dépend plus de la fréquence de polarisation. Les analyses de la surface obtenue par XPS et l'effet du bombardement ionique ont permis de confirmer l'existence de nature entre les deux régimes (I) et (II).

Contexte

Section :
Physique
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Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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