Colloque

Effet tunnel dans une barrière GaAs-AlAs-GaAs: Transfert intervalle f-X

Yves Carbonneau

H.C. Liu

Margareth Buchanan

Jean Beerens

Membre a labase

Yves Carbonneau

Résumé du colloque

Les hétérostructures GaAs-AlAs possèdent un important potentiel d'applications en microélectronique et en optoélectronique. L'hétérostructure GaAs-AlAs-GaAs sur laquelle notre étude s'appuie présente, dans la direction (100), un profil de bande de la forme d'une barrière de potentiel au point Γ et d'un puits quantique au point X du réseau réciproque. Notre étude porte sur le processus de diffusion élastique intervalle f-X, lorsqu'un électron traverse une interface. Les échantillons ont été élaborés et dopés de type n par la méthode d'épitaxie par jets moléculaires (MBE). Des mesures de transport à basse température (4.2 K) de courant vs tension appliquée, effectuées sous différentes pressions hydrostatiques (P≤10 Kbar), nous permettent d'observer deux processus de propagation des électrons de bande incidents dans la direction perpendiculaire aux interfaces. Le premier est lié au profil de bande Γ, donc à l'effet tunnel des électrons à travers la barrière. Le second processus est décrit par le transfert de l'électron de la vallée Γ dans le GaAs à X dans l'AlAs qui introduit de l'effet tunnel assisté par différents niveaux d'énergie du puits quantique du profil de bande X. Les résultats sont analysés et discutés par comparaison avec les calculs numériques d'un modèle théorique récent.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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