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Effets de la composition des cibles sur la déposition épitaxiale du InSb sur le GaAs (100)

Y. Beaulieu
J.L. Brebner
C. Halpin
J.B. Webb
YB

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Y. Beaulieu

Résumé du colloque

Les films monocristallins de InSb ont été déposés sur le GaAs (100) par pulvérisation cathodique avec magnétron. Les cibles de InSb fabriquées par frittage ont produit des films de bonne stoechiométrie, dont les surfaces sont très réfléchissantes. Cependant, les cibles fabriquées à partir de InSb polycristallins de haute densité, donnèrent des films dont les surfaces étaient rugueuses. Le profil surfacil (RMS) des films (1000 de surface) des particules de haute densité des cibles indique une augmentation de la rugosité en particulier pour un film en croissance dans le cas de la cible polycristalline, laissant une surface déficiente en antimoine. La co-pulvérisation d'une cible d'antimoine durant la déposition par la cible polycristalline permet d'obtenir des couches épitaxiales ayant des surfaces très réfléchissantes.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université d’Ottawa

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Titre du colloque :

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