Colloque

Effets de la radiation sur les propriétés de transport du GaAs

Hassan Ghamlouch

Cosmo Carlone

Robert Gagnon

Marcel Aubin

Shyam Khanna

Membre a labase

Hassan Ghamlouch

Résumé du colloque

La croissance des cristaux semiconducteurs est toujours accompagnée de la formation de défauts cristallins et de l'incorporation d'impuretés. Toutes ces imperfections permettent la diminution électrique par des électrons et des trous même si certains de ces porteurs sont compensés. Or, si un semiconducteur reçoit une radiation (disons par un faisceau d'électrons ou de neutrons de haute énergie ou de rayons gamma), ces défauts augmentent en nombre et en grandeur. On peut donc prévoir un effet sur la performance des dispositifs semiconducteurs exposés à la radiation ionisante, par exemple une explosion nucléaire. Afin de comprendre ce phénomène et éventuellement le contrôler, nous avons exposé des échantillons de GaAs de diverses concentrations électroniques (10^15-10^18/cm^3) à diverses doses (10^5-5X10^14) de d'électrons de 7 MeV. L'effet Hall et la résistivité de chaque échantillon ont été mesurés en fonction de la température avant et après l'irradiation. Un lissage des courbes a permis de préciser l'énergie d'activation et le nombre de porteurs de chaque niveau d'impureté et d'étudier l'évolution de ces paramètres avec la dose de radiation.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Montréal

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