pen icon Colloque
quote

Effets de l'épaisseur sur la luminescence de couches épitaxiales de GaInAs, déposées par MOVPE

D. Morris
R.A. Masut
A.P. Roth
J.L. Brebner
DM

Membre a labase

D. Morris

Résumé du colloque

Le déplacement en énergie des raies associées aux recombinaisons excitoniques et aux transitions bande de conduction-accepteur a été mesuré dans les spectres de photoluminescence des couches épitaxiales de différentes épaisseurs de GaInAs. Ces couches par MOVPE, furent sur substrat de GaAs. On a pu ainsi étudier les effets de la contrainte biaxiale subie par la couche épitaxiale, causée par la différence entre la constante de maille de ces couches et celle du substrat. Ces mesures permettent de déterminer expérimentalement l'épaisseur critique au-delà de laquelle les contraintes donnent naissance des dislocations interfaciales.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université d’Ottawa

Découvrez d'autres communications scientifiques

news icon

Titre du colloque :

Physique
Effets d'un signal externe sur un système à rétroaction acousto-optique
Christopher Marriott
La physique de l'environnement, un enseignement universitaire: cours de service et d'appoint
Armel Boutard
Modes transverses des diodes laser à structure "ridge-waveguide" et profils d'indice effectif défor…
Romain Maciejko
Voir tous les contenus de ce colloque

Autres communications du même congressiste :

news icon

Thème du colloque :

Physique
Effets de l'épaisseur sur la luminescence de couches épitaxiales de GaInAs, déposées par MOVPE
D. Morris
Effets de l'épaisseur sur la luminescence de couches épitaxiales de GaInAs, déposées par MOVPE
D. Morris
Relaxation des porteurs dans des structures à boîtes quantiques InGaAs/GaAs auto-assemblées
D. Morris