Colloque

Élaboration de substrats SOI à l'aide d'ions hydrogène et deutérium de faible énergie (5 keV)

Nicholas Desrosiers

Bernard Terreault

Oussama Moutanabbir

Membre a labase

Nicholas Desrosiers

Résumé du colloque

Nous étudions le procédé Smart-Cut en utilisant des ions H et D de faible énergie au lieu de l’énergie standard de quelques dizaines de keV utilisée présentement dans l’industrie. Nous visons un parcours projeté d’approximativement 100 nm dans le but d’obtenir une surface transférée de moins de 100 nm d’épaisseur. Plusieurs échantillons de silicium d’orientation (100) ont été implantés, à la température ambiante, d’ions H et D de 5 keV. À la suite d’un traitement RCA modifié rendant les surfaces hydrophiles, les échantillons implantés sont « soudés » à une tranche de silicium comportant une couche d’oxyde de 300 nm d’épaisseur. Ensuite, la paire ainsi formée est soumise à un pré-recuit à relativement basse température (100-240°C) dans le but de renforcer la liaison à l’interface, suivi d’un recuit rapide jusqu’à 600°C pour réalisé le clivage. Avec les ions hydrogène, nous avons trouvé une fenêtre étroite de doses qui permet le clivage (autour de 2 x 10^16 H+/cm^2), ce qui semble être en accord avec l’intervalle de doses permettant le cloquage déterminé par O. Moutanabbir. Nous avons caractérisé les surfaces transférées, principalement en terme de rugosité, par microscopie à force atomique. Pour les échantillons implantés d’hydrogène, nous avons trouvé que l’épaisseur des surfaces transférées est d’environ 85 nm et la rugosité, de l’ordre de 3-5 nm dans les régions les plus lisses.

Contexte

Section :

Science et ingénierie des plasmas

Thème du colloque :

Science et ingénierie des plasmas

Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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