Colloque

Électrodéposition galvanostatique du semi-conducteur CuInS2 sur un substrat de titane pour utilisation dans une cellule photovoltaïque électrochimique

Stéphanie Morin

Benoît Marsan

Membre a labase

Stéphanie Morin

Résumé du colloque

Afin d'augmenter le rendement d'une cellule photovoltaïque électrochimique en milieu non-aqueux, un film mince semi-conducteur de CuInS2 a été électrodéposé galvanostatiquement sur un substrat de titane. Les films ont été caractérisés par diffraction des rayons X, microscopie électronique à balayage, EDAX, XPS et spectroscopie d'impédance. Les résultats indiquent que le courant de déposition optimal est de 40 mA. Certains films ont été traités chimiquement au cyanure de potassium (KCN). Les analyses de XRD et EDAX démontrent, en général, que la cristallinité et la pureté des couches minces traitées avec la solution de cyanure sont supérieures à celles sans traitement chimique, ce qui devrait accroître le rendement de la photopile. Notamment, l'excès de cuivre est éliminé et l'importance des phases différentes de CuInS2 est fortement diminuée. L'effet du traitement chimique au KCN sur les propriétés semi-conductrices (densité des porteurs de charge majoritaires, potentiel de bande plate) des films préparés sera discuté.