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Électrodéposition par courant direct et pulsé des semiconducteurs Cu2-x Se et CuSe

Mohammed Boumerzoug
Lê H. Dao
MB

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Mohammed Boumerzoug

Résumé du colloque

Les alliages semiconducteurs, de type Cu-Se ont suscité beaucoup d'intérêts récemment. Plusieurs méthodes de préparation de films minces ont été utilisées (e.g. évaporation, croissance monocristalline, pulvérisation etc.). Cependant ces techniques sont coûteuses et ne permettent pas le recouvrement de grandes surfaces. L'électrodéposition est une technique simple et bon marché qui permet la préparation de grandes surfaces. Ainsi des films minces de Cu2Se et Cu2-x Se (x=0.1 à 0.2) ont été électrodéposés cathodiquement sur différents substrats dans une cellule électrochimique à trois électrodes à partir des solutions aqueuses de CuSO4 et SeO2 par les techniques de courants directs et pulsés. Des films uniformes et bien adhérents de 5µm d'épaisseur étaient obtenus après 30 min de déposition. La composition des films a été examinée par microscope électronique à balayage et la composition analysée par diffraction de rayons X ont montré des structures polycristallines de type cubique pour Cu2Se et tétragonale pour CuSe. Les effets de l'électrolyte, du pH, du type de pulses et du recuit sur la préparation et les propriétés des films Cu-Se sont discutés.

Contexte

Section :
Chimie physique
news icon Thème du colloque :
Chimie physique
host icon Hôte : Université du Québec à Montréal

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Titre du colloque :

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