Colloque

Emission secondaire des surfaces de verre semi-conducteur

C. Bouchard

J.-D. Carette

Membre a labase

C. Bouchard

Résumé du colloque

La connaissance poussée du comportement des surfaces émissives en ce qui a trait au phénomène de l'émission secondaire est d'une grande importance dans la conception des multiplicateurs d'électrons à canalisation. Le cas particulier des surfaces de verre rendu semi-conducteur par réduction des oxydes de métaux lourds qui entrent dans sa composition est ici traité. Les différentes caractéristiques de l'émission secondaire des surfaces de ce type sont examinées en relation avec leur influence sur le facteur d'amplification local. Ce facteur est très sensible à la variation des coefficients d'émission secondaire en fonction de l'énergie de l'angle d'incidence et aux fluctuations de la composition superficielle sur l'émission. On démontre l'influence des défauts de la composition superficielle sur l'émission. On montre comment représenter par une relation simple la dépendance du facteur d'amplification local en fonction du champ longitudinal complexe d'un phototube à émission. A partir des propriétés de l'émission secondaire, il est possible de prévoir le comportement des canalisations de multipliers en régime de saturation à courant entretenu par rétroaction ionique. Ce comportement permet de vérifier expérimentalement l'exactitude des valeurs des paramètres employés pour décrire l'émission secondaire.

Contexte

Section :

Chimie physique

Thème du colloque :

Chimie physique

Hôte : Université de Montréal

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