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Résumé de la communication
La découverte d'intenses propriétés luminescentes du silicium poreux, dans le visible, a ouvert la voie à la réalisation de nouveaux matériaux à base de silicium, comme les super-réseaux de Si/SiO2, constitué de silice amorphes. Des efforts sont fait actuellement vers des composants cristallins, autant pour la silice que pour le silicium. Ces super-réseaux, qui peuvent être fabriqués entre autres par des méthodes d'épitaxie par jets moléculaires, peuvent contenir au-delà de 425 couches de Si/SiO2 d'une épaisseur de 2 a 5 nm chacunes. Le faible coût, la non-toxicité et l'approvisionnement quasi-illimité du silicium et de son oxyde, ainsi que sa non-solubilité dans l'eau, font de ce matériau un système potentiellement plus intéressant que le germanium (Ge) ou l'arséniure de gallium (GaAs). Par contre, le silicium cristallin seul possède une très faible luminescence qui se situe dans l'infra-rouge (1.1eV). En modifiant l'environnement du silicium, par exemple en fabriquant un super-réseau, on espère induire de meilleures propriétés optiques, telles que l'intensité de la luminescence et un décalage de l'infra-rouge vers le visible. Afin de jeter un peu de lumière sur ce problème, nous avons entrepris des calculs ab-initio des propriétés électroniques et optiques de ces systèmes, sous forme cristalline (car plus simples). La principale difficulté consiste à modéliser correctement la structure des différentes composantes du super-réseau. Plusieurs modèles sont étudiés. Nos résultats sont comparés avec ceux obtenus en utilisant un modèle semi-empirique de type liaisons fortes.
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