Colloque

Étude de GaInAs/GaAs dans l'infrarouge lointain

Philippe Hela

Jean Berrens

Charles Laclier

Alain P. Roth

Membre a labase

Philippe Hela

Résumé du colloque

Le matériau GaInAs épitaxic sur GaAs possède un important potentiel d'applications en microélectronique, notamment pour la fabrication de transistors à effet de champ ultrarapides. Des mesures de transmission et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70.5µm ≤ λ ≤410.7µm) effectuées sous champ magnétique (8.5T15T) nous ont permis d'observer la résonance cyclotron dans la gamme de température allant de 2K à 140K. Les échantillons ont été élaborés par la méthode d'épitaxie par organométalliques (MOCVD) et présentent un dopage régulé de type n à une valeur de quelques 10¹⁶ cm⁻³. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la masse effective en électronique. Les résultats sont analysés et discutés par comparaison avec des modèles théoriques; nous discutons en particulier des contributions respectives de la non-parabolicité et de l'effet magnétopolaron à l'accroissement de la masse effective en fonction de l'énergie cinétique dans la bande de conduction. La variation de cette masse en fonction de la température est également examinée en détail.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université de Sherbrooke

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