Colloque

Étude de GaInAs/InP dans l'infrarouge lointain

Denis Pelenc

Carla Miner

Marcel Aubin

Jean Beerens

Membre a labase

Denis Pelenc

Résumé du colloque

Le matériau GaInAs épitaxié sur InP possède un important potentiel d'application en optoélectronique et en microélectronique. Nous avons effectué des mesures de résonance cyclotron et de photoconductivité dans l'infrarouge lointain (70,5μm≤λ≤531μm) et sous champ magnétique (B≤15T) sur des échantillons de haute qualité (μ=70000 cm²/Vs à 77K), produits par la méthode de croissance MOVCD. Plusieurs nouveaux pics de photoconductivité ont pu être mis en évidence, ce qui donne accès à des renseignements originaux concernant le niveau d'impuretés dans ce matériau. Les mesures de résonance cyclotron donnent accès de manière très précise à la masse effective électronique. Les résultats sont analysés et discutés par comparaison avec les modèles théoriques; nous discutons en particulier de l'influence de la non-parabolicité de la bande de conduction sur la masse effective et sur la position des pics de photoconductivité.

Contexte

Section :

Physique

Thème du colloque :

Physique

Hôte : Université Laval

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