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Étude de la déposition de métaux par pulvérisation et évaporation sur c-Si (100)

Boris Lamontagne
Edward Sacher
Michel R. Wertheimer
BL

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Boris Lamontagne

Résumé du colloque

L'interface métal/semiconducteur joue un rôle fondamental en micro-électronique. Or, lorsqu'un métal est déposé par pulvérisation, l'énergie moyenne des particules est plus élevée que dans le cas de dépôt par évaporation. Quels sont les effets de ces particules énergétiques sur le substrat cristallin et sur l'interface métal/Si ? Plusieurs auteurs ont observé une nette amélioration des propriétés physico-chimiques (densité, adhérence, conductivité, etc.) de couches minces déposées par pulvérisation, en comparaison à l'évaporation. L'originalité de notre travail consiste à observer l'effet de la déposition par pulvérisation sur la cristallinité de la surface du substrat et sur l'état de l'interface métal/Si pour de très minces couches de métal (Au, Ag, Cu et Al). Leur dépôt et leur caractérisation par spectroscopie des photo-électrons R-X ont été réalisées sous ultra-vide. La Diffraction Rétro-Électrons (DPE) a permis d'observer l'amorphisation de la surface du substrat induite par les particules énergétiques lors de la déposition par pulvérisation. Par DPE, nous avons aussi constaté la diffusion des atomes de Si à travers la couche d'ainsi que l'épitaxie de l'Ag et du Cu sur le Si(100). Enfin, la microscopie à force atomique a permis d'observer les couches évaporées sont plus rugueuses que celles déposées par pulvérisation. En résumé, lors de la déposition de métaux par pulvérisation sur Si(100), les particules énergétiques ont amorphisé le substrat, élargi l'interface métal/Si et diminué la rugosité des couches métalliques.

Contexte

Section :
Physique
news icon Thème du colloque :
Physique
host icon Hôte : Université de Montréal

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Titre du colloque :

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