Colloque

Étude de la dynamique ultra-rapide des porteurs dans des structures laser à puits quantiques multiples d'InGaAsP

C. Rejeb

R. Maciejko

D. Morris

Membre a labase

C. Rejeb

Résumé du colloque

La croissance phénoménale dans le domaine des communications entraîne la technologie vers la réalisation de composants optoélectroniques de plus en plus performants. Les matériaux de choix pour les systèmes de communication par fibres optiques à 1.3 et à 1.55 mm sont des structures à base d'InGaAsP, épitaxiées sur substrat d'InP. Malgré des études poussées sur les propriétés de ces matériaux, beaucoup de points restent à élucider pour réaliser de nouveaux dispositifs de plus en plus performants. Nous avons étudié les phénomènes de relaxation, de transport, de capture et de recombinaison des porteurs dans des structures lasers à puits quantiques multiples d'In1-xGaxAsyP1-y, par photoluminescence résolue dans le temps. Afin d'identifier les processus de relaxation, nous avons caractérisé l'évolution temporelle de la température effective des porteurs. Un estimé des temps de transport et de capture a été aussi obtenu.