Veuillez choisir le dossier dans lequel vous souhaitez ajouter ce contenu :
Résumé du colloque
Les techniques de croissance épitaxiale telle que la croissance par pyrolyse d'organométalliques en phase vapeur (MOCVD) a permis de confiner les électrons dans un puits quantique. Cette technique augmente l'efficacité d'une diode laser. En effet, l'absorption est plus faible dans une diode laser ayant un puits quantique, car les porteurs sont confinés en 2D. En limitant le mouvement des électrons dans le puits quantique dans une seule direction (1D) sous forme de fils quantiques, il est théoriquement possible d'augmenter significativement l'efficacité des dispositifs. La présente étude consiste à étudier la fabrication de fils quantiques en utilisant la méthode d'interdiffusion de puits quantique par implantation ionique à très faible énergie. Il a été démontré que cette technique permet de modifier le gap énergétique des hétérostructures InGaAs/InGaAsP en conservant la qualité du matériau. Le présent travail consiste à fabriquer des lignes interdiffusées espacées d'une largeur de l'ordre de 100 nm, à l'aide de la nanolithographie, pour la réalisation de fils quantiques. La caractérisation des structures impliquera notamment la photoluminescence en continu et résolue en temps, ainsi que des mesures de transport à faible température sous champ magnétique intense.
Vous devez être connecté pour ajouter un élément à vos favoris.
Veuillez vous connecter ou créer un compte pour continuer.
Outils de citation
Citer cet article :
MLA
APA
Chicago
Ajouter un dossier
Vous pouvez ajouter vos contenus préférés à des dossiers organisés. Une fois le dossier créé,
vous pouvez ajouter un article ou un contenu de la liste ou de la vue détaillée au dossier sélectionné dans la liste.